sfh 4500 sfh 4505 schnelle ir-lumineszenzdiode (950 nm) im smr ? -geh?use high-speed infrared emitter (950 nm) in smr ? package 2000-01-01 1 opto semiconductors sfh 4500 sfh 4505 wesentliche merkmale ? hohe pulsleistung und hoher gesamt- strahlungsflu? f e ?smr ? (surface mount radial)-geh?use ? sehr kurze schaltzeiten (10 ns) ? sehr hohe langzeitstabilit?t ? hohe zuverl?ssigkeit anwendungen ? bauteil mit hoher strahlst?rke zur oberfl?chenmontage (smt) ? schnelle datenbertragung mit bertragungsraten bis 100 mbaud (ir tastatur, joystick, multimedia) ? analoge und digitale hi-fi audio- und videosignalbertragung ? batteriebetriebene ger?te (geringe stromaufnahme) ? anwendungen mit hohen zuverl?ssigkeits-ansprchen bzw. erh?hten anforderungen ? alarm- und sicherungssysteme ? ir freiraumbertragung features ? high pulse power and high radiant flux f e ?smr ? (surface mount radial) package ? very short switching times (10 ns) ? very high long-time stability ? high reliability applications ? device with high radiant intensity suitable for surface mounting (smt) ? high data transmission rate up to 100 mbaud (ir keyboard, joystick, multimedia) ? analog and digital hi-fi audio and video signal transmission ? low power consumption (battery) equipment ? suitable for professional and high-reliability applications ? alarm and safety equipment ? ir free air transmission
2000-01-01 2 opto semiconductors sfh 4500, sfh 4505 typ type bestellnummer ordering code geh?use package sfh 4500 q62702-p5163 5-mm-smr ? -geh?use (t1 ?), schwarzes epoxy- gie?harz, anschlsse (sfh 4500 gebogen, sfh 4505 gerade) im 2.54-mm-raster ( 1 / 10 ), kathodenkennung: siehe ma?zeichnung. 5 mm smr ? package (t1 ?), black epoxy resin, solder tabs (sfh 4500 bent, sfh 4505 straight) lead spacing 2.54 mm ( 1 / 10 ), cathode marking: see package outline. sfh 4505 q62702-p5164 grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit betriebs- und lagertemperatur operating and storage temperature range t op ; t stg C 40 + 85 c sperrspannung reverse voltage v r 3v durchla?strom forward current i f (dc) 100 ma sto?strom surge current t p = 10 m s, d = 0 i fsm 1a verlustleistung power dissipation p tot 180 mw w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung, freie beinchenl?nge max. 10 mm thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and pcb max. 10 mm r thja 375 k/w
sfh 4500, sfh 4505 2000-01-01 3 opto semiconductors kennwerte ( t a = 25 c) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit wellenl?nge der strahlung wavelength of peak emission i f = 100 ma, t p = 20 ms l peak 950 nm spektrale bandbreite bei 50% von i max spectral bandwidth at 50% of i max i f = 100 ma, t p = 20 ms dl 40 nm abstrahlwinkel half angle j 10 grad deg. aktive chipfl?che active chip area a 0.09 mm 2 abmessungen der aktiven chipfl?che dimension of the active chip area l b l w 0.3 0.3 mm schaltzeiten, i e von 10% auf 90% und von 90% auf 10% switching times, i e from 10% to 90% and from 90% to10% i f = 100 ma, t p = 20 ms, r l = 50 w t r , t f 10 ns kapazit?t capacitance v r = 0 v, f = 1 mhz c o 35 pf durchla b spannung forward voltage i f = 100 ma, t p = 20 ms i f = 1 a, t p = 100 m s v f v f 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) v v sperrstrom reverse current v r = 3 v i r 0.01 ( 10) m a gesamtstrahlungsflu? total radiant flux i f = 100 ma, t p = 20 ms f e 32 mw temperaturkoeffizient von i e bzw. f e temperature coefficient of i e or f e i f = 100 ma tc i C 0.44 %/k
2000-01-01 4 opto semiconductors sfh 4500, sfh 4505 temperaturkoeffizient von v f temperature coefficient of v f i f = 100 ma tc v C 1.5 mv/k temperaturkoeffizient von l temperature coefficient of l i f = 100 ma tc l + 0.2 nm/k strahlst?rke i i i i e in achsrichtung gemessen bei einem raumwinkel von w = 0.01 sr radiant intensity i i i i e in axial direction measured at a solid angle of w = 0.01 sr bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit strahlst?rke radiant intensity i f = 100 ma, t p = 20 ms i e min i e typ 40 80 mw/sr mw/sr strahlst?rke radiant intensity i f = 1 a, t p = 100 m s i e typ 500 mw/sr l?tbedingungen soldering conditions tauch-, schwall- und schleppl?tung dip, wave and drag soldering kolbenl?tung (mit 1,5-mm-kolbenspitze) iron soldering (with 1.5-mm-bit) l?tpad- temperatur temperature of the soldering bath maximal zul?ssige l?tzeit max. perm. soldering time abstand l?tstelle C geh?use distance between solder joint and case temperatur des kolbens temperature of the solder- ing iron maximale zul?ssige l?tzeit max. permis- sible solder- ing time abstand l?tstelle C geh?use distance between solder joint and case 260 c 10 s 3 1.5 mm 300 c3 s 3 1.5 mm kennwerte ( t a = 25 c) (contd) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit
sfh 4500, sfh 4505 2000-01-01 5 opto semiconductors relative spectral emission i erel = f ( l ) forward current i f = f ( v f ) single pulse, t p = 20 m s ohf00777 nm 800 i erel l 0 850 900 950 1000 1100 20 40 60 80 100 ohf00784 10 -3 v ma 0 i f v f 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4.5 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 radiant intensity i e / i e (100 ma) = f ( i f ) single pulse, t p = 20 m s radiation characteristic i erel = f ( j ) e e (100 ma) ma ohf00809 f i i i 10 4 0 10 10 1 10 23 10 10 -3 10 -2 10 10 -1 0 10 2 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 j 1.0 0.8 0.6 0.4 0? 10? 20? 40? 30? ohf01019 50? 60? 70? 80? 90? 100? 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? max. permissible forward current i f = f ( t a ) ohf00387 0 f i 0 t a 20 40 60 80 100 120 20 40 60 80 100 120 ma ?c
2000-01-01 6 opto semiconductors sfh 4500, sfh 4505 ma?zeichnungen package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben / dimensions in mm, unless otherwise specified. geo06960 3.9 4.5 cathode 7.1 7.7 2.54 mm spacing 13.1 14.7 5.5 7.5 1.95 2.05 r (3.2) 5.4 6.0 (3.2) 2.7 2.4 4.4 4.8 (r 2.8) -0.1...0.1 3.7 3.3 2.7 2.3 chip position 3.9 4.5 sfh 4500 geo06961 3.9 4.5 cathode 7.1 7.7 2.54 mm spacing 14.7 15.5 7.4 8.0 (3.2) 5.4 6.0 (3.2) 2.7 2.4 4.4 4.8 (r 2.8) r 2.05 1.95 chip position 3.9 4.5 -0.15...0..15 sfh 4505
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